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RF GD OES is well known for ultra fast elemental depth profile of thin and thick films. All elements can be measured including Hydrogen (H) which is important in many application fields - for corrosion studies, for PV, in metallurgy, for the development of hydrogen storage materials and for all polymeric coatings studies to name a few.
射频GD-OES 因薄膜和厚膜的超快元素深度分布而闻名。可以测量所有元素，包括氢 (H)，这在许多应用领域都很重要 ，比如用于腐蚀研究、光伏、冶金、储氢材料的开发以及所有聚合物涂层研究等等。
通常区分同位素需要用到质谱仪器，但对于H元素和它的同位素D，具有足够光谱分辨率的光谱仪也可以分辨，两条发射线分别位于 121,534 nm（D）和 121,567 nm（ H），相距 30 pm ！
氘（D）分布对等离子体表面材料的融合研究非常有用，此外还常用于腐蚀研究中，替代腐蚀介质中的H。
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