CMP浆料的粒度分析

化学机械抛光 (CMP) 应用

化学机械抛光（或平面化）是去除硅片表面不规则的常用技术。典型的 CMP 浆料由分散在酸性或碱性溶液中的纳米级磨料组成。在机械磨损过程中，化学反应会软化材料。磨料颗粒的尺寸分布直接影响关键指标，包括去除率和晶片缺陷。因此，粒度分析是表征CMP浆料性能的关键指标。

CMP磨料颗粒的典型尺寸范围为 50-250 纳米，并且现有的几种颗粒尺寸测量技术能够在此范围内以不同的准确度和精度进行测量。CMP 浆料中典型的筛上聚集体为 1-10 微米。颗粒表征的挑战来自于精确确定纳米级颗粒尺寸的组合，同时还要识别相对较少的微米级聚集体。

网络研讨会

Edward E. Remsen 教授使用荧光相关光谱法对化学机械平面化 (CMP) 浆料中的细颗粒表征| Bradley 大学，Mund-Lagowski 化学与生物化学系
和 Tim Holt 应用实验室经理 | HORIBA Instruments，半导体部门。

商用集成电路的制造关键取决于通过化学机械平面化 (CMP) 将硅晶片表面抛光至接近原子平坦度的研磨浆颗粒的物理和化学特性。磨料颗粒的粒度分布 (PSD) 是 CMP 工艺中的一个关键因素，因为它与抛光效率和抛光过程中晶片上的缺陷产生有关。在本演示文稿中，描述了单分子光谱技术荧光相关光谱 (FCS) 在该应用中的应用。FCS 在 PSD 分析方法中脱颖而出，因为它对流体动力学直径在 10 纳米以下的颗粒具有敏感性。随着集成电路的特征尺寸根据摩尔定律稳步减小，CMP 浆料中较小尺寸的磨料颗粒的表征已成为一种要求。FCS 与互补技术的结合使用，粒子跟踪使用Viewsizer 3000多激光纳米粒子跟踪分析 (m NTA) 被描述为应对这一挑战的一种方法。

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激光衍射粒度

激光衍射是常用的 CMP 浆料尺寸测量技术，因为它可以快速、准确和精确地测量纳米级和微米级颗粒。HORIBA的LA-960V2粒度分析仪能精确测量从10个纳米颗粒到5,000微米的颗粒，使得这种系统对于CMP应用是显而易见的选择。我们最近对 LA-960 在 31 纳米主要群体存在的情况下对少量超大颗粒的能力进行量化的研究证明了这一点。