气相二氧化硅的粒度分析

化学机械抛光 (CMP) 技术是大规模半导体集成电路 (ULSI) 制造过程中必不可少的一门基础技术。CMP 这门技术的原理是利用化学蚀刻与含有磨料颗粒的化学浆料的研磨，两者共同作用，在基材表面达到软化、去除或变平的效果。

气相二氧化硅颗粒能够在火焰中进行气相反应合成，并作为二次颗粒分散，二次颗粒也就是一次颗粒的聚集体。气相二氧化硅的抛光率虽然高，但在抛光精度上不如胶体二氧化硅。