PDF
0.52
MB
The GaN and AlGaN films were deposited by MOCVD (metalorganic chemical vapour deposition) on sapphire substrates. Ellipsometric measurements were performed at an angle of incidence of 70° in the spectral range 500nm-800nm. Both the thicknesses and optical properties were extracted simultaneously from the SE data analysis.
III族氮化物及其合金多用于LED、注入激光器、光电探测器、全彩显示器等短波光电子器件和HFETs和HEMT等电子器件。设计和优化器件则需要了解膜层的厚度和光学特性。椭圆偏振光谱仪作为一种无损表征方法，可以准确获得这些信息。
液晶调制椭圆偏振光谱是高精度表征化合物半导体AlGaN/GaN异质结构的优选技术。利用MM-16型椭偏仪可以测得几微米的薄膜厚度和光学常数。AlGaN的光学参数对于光电器件设计至关重要。此外光学参数可以建立标准曲线，快速测定AlGaN中Al的含量。椭偏仪同样适用于SiGe、II-VI或经典III-V族等其它化合物半导体。
如您有任何疑问，请在此留下详细需求信息，我们将竭诚为您服务。
