沉积在硅锗基底上的硅帽层的应变测量以确定锗含量

拉曼光谱是研究半导体基本特性的最常用工具之一。它在确定微电子装置的特性方面特别有效，因为基于硅锗的装置的性能高度依赖于对各层的组成、锗含量和应变的了解。事实上，测量半导体结构中的合金成分和应变的能力对于校准生长过程和控制这些材料的电气和光学行为至关重要。

用拉曼光谱研究机械应力的第一个要求是被调查的材料表现出拉曼活性模式，即在光谱中存在一个明确的拉曼带。这些材料包括 diamonds、 silicon、SiGe、InGaAs、GaAs、GaN等。机械应变直接影响拉曼模式的频率位置，并能解除其退行性。

通常情况下，可以通过分析特征峰位的移动来观察和检测应变，但它也可以影响谱峰的形状，并诱发变宽和变形峰。这些影响取决于材料特性以及应力和应变的几何形状。在这项研究中，我们重点关注激光激发和测量条件的选择。介绍了在可见光和紫外线范围内获得的结果。