GD-Profiler 2™ 辉光放电光谱仪
GD-Profiler 2™ 可以快速且同时分析所有元素，包括气体元素N、O、H和Cl，是薄膜表征和工艺研究的理想工具。
GD-OES 是一种可对层状材料进行超快速元素深度剖析技术，对所有元素(含：H、D、Li、C、N、O) 以纳米级深度分辨率测试。
脉冲射频源可以凭借优良的性能分析所有类型的固体样品，从1纳米到150 微米以上；超快速溅射 (UFS)分析方法可轻松溅射聚合物材料；此外GD-OES还可为扫描电子显微镜 (SEM)制备样品。
HORIBA Scientific GD 仪器采用专利高动态范围检测器 HDD（US5726438;国际专利分类:H01J 39/12；H01J 40/14；G01J 1/44；H01J 43/00；H01J 43/30），可实时、自动优化灵敏度。即使元素浓度从痕量变为主量元素，也无需任何调整。另外HORIBA Scientific 专利差分干涉仪(DiP)（专利号： 60729849 WO15166189A1, FR3020684 A1）可以直接将溅射时间转换为深度，精度达纳米级，并且和元素分析是同步进行的。
本文介绍了三种不同电压下，在H3PO4 电解质中，四水硝酸钙、六水硝酸镁和三水硝酸铜 (II) 制备的新型多孔涂层的特性，并使用SEM、EDS、GD-OES、XPS以及XRD技术对涂层进行了表征。
我们开发了一种在辉光放电发射光谱 (GD-OES) 仪器上实施的原位测量技术，该技术可在分析过程中提供深度信息。该设置基于微分干涉仪，对于 100 纳米到几十微米的溅射坑深度，可以获得优于 5% 的测量精度。这一发展可直接应用于非透明涂层，并显著改善 GD-OES 中的量化过程。
查看详情凭借20% 光电转换效率，混合钙钛矿太阳能电池被认为是下一代光伏的候选者。 由于 HORIBA Scientific 产品组合广泛，因此可以使用不同的技术来深入了解这类材料的光电特性和机制。 在本应用说明中，我们决定使用椭偏、稳态和时间分辨荧光以及辉光放电发射光谱来研究沉积在旋涂 PEDOT:PSS 上的 CH3NH3PbI3 薄膜，并且解决了材料暴露在空气中的影响。
查看详情脉冲式射频GD-OES的超快元素深度分析能力，常用于研究薄膜和厚膜。由于使用了脉冲射频源和高分辨率光谱仪，GD Profiler 2具有出色的深度分辨率，可以快速评估涂层质量。在本应用中我们剖析用作固体润滑剂的 MoS2/Pb 复合多层样品。对此类样品的分析表明：GD Profiler 2在研究纳米级厚度的复合涂层时具有出色的性能。
查看详情如您有任何疑问，请在此留下详细需求信息，我们将竭诚为您服务。
