当电子束与扫描电子显微镜(SEM)中的样品相互作用时,会发生多个事件。一般而言,二次电子、背散射电子、特征 X 射线或感应电流需要不同的探测器来区分。根据加速电压和样品密度,信号来源于不同的穿透深度。
俄歇电子能谱(AES)是表面污染分析的最佳工具(表面前50埃)。该工具可识别从锂到铀的灵敏度约为 0.1% 的元素。
二次电子的穿透深度仅大于俄歇电子。 二次电子探测器(SED)收集低能(<50 eV)二次电子,用于产生扫描形貌图。
SED 图像具有独立于材料的高分辨率,信号由靠近表面的非弹性散射电子获得。不包含材料成分信息。
背散射电子探测器(BSD)探测弹性散射电子。这些电子在样品表面以下的原子中能量更高。四象限固态 BSD 提供表面形貌和材料衬度(成分)成像。
电子背散射衍射(EBSD)是一种装配在扫描电镜(SEM)的分析技术,用于分析电子束与晶体样品相互作用时产生的衍射图样。衍射图样在荧光屏上成像,并由软件分析以确定晶体结构的方向。
电子束感应电流(EBIC)是一种半导体分析技术,可用于评估少数载流子特性和缺陷数量。电子束和半导体样品之间的非弹性相互作用导致电子-空穴对的产生。探针与接点接触,测量感应电流。
通常大多数探测器都安装在可伸缩收集探头,可高精度重新定位,防止碰撞,具有良好的重现性。
HORIBA Scientific提供一系列可选探测器,涵盖全色CL成像,单色CL成像,高光谱CL成像,和/或拉曼光谱成像模块。