化学气相沉积（CVD）是一种通常在真空下生产高质量、高性能固体材料的沉积方法。该工艺通常用于制造半导体和薄膜生产。
在典型的化学气相沉积中，基板接触一种或多种挥发性前驱体，前驱体在基板表面发生反应和/或分解，产生所需的沉积物。根据化学气相沉积的基本原理，化学气相沉积有一系列扩展工艺，最常见的有：
常压化学气相沉积法（APCVD）
低压化学气相沉积法（LPCVD）
超高真空化学气相沉积法（UHVCVD）
气溶胶辅助化学气相沉积法（AACVD）
直接液体注入式化学气相沉积法（DLICVD）
等离子体增强化学气相沉积积法（PECVD）
远程等离子体增强化学气相沉积法（RPECVD）
原子层沉积法
金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）
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