光电倍增管探测器 | 探测器材料 | 波长范围 (nm) | 有效面积 (mm) | 暗电流 (nA) | 制冷方式 | 斩波器、锁相放大器或调制信号源 |
---|---|---|---|---|---|---|
PMT-928SC | 多碱光电阴极 | 185 - 900 | 8 x 24 | 3 | RT 或 TE | 不需要 |
955 | 多碱光电阴极 | 160 - 900 | 8 x 24 | 3 | RT 或 TE | 不需要 |
1527 | 双碱光电阴极 | 185 - 650 | 8 x 24 | 0.1 | RT 或 TE | 不需要 |
2658 | 铟镓砷光电阴极 | 185 - 1010 | 3 x 12 | 1 | TE | 不需要 |
1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长
RT = 室温
TE = 热电制冷
LN2 = 液氮制冷
固态探测器 | 探测器材料 | 波长范围 (μm) | 有效面积 (mm) | 灵敏度 (D*) | 制冷方式 | 斩波器、锁相放大器或调制信号源 |
---|---|---|---|---|---|---|
DSS-S025A | 硅 (Si) | 0.20 - 1.10 | 2.5 mm Ǿ | 1.48E+14 | RT | 不需要 |
DSS-S025T | 硅 (Si) | 0.20 - 1.00 | 2.5 mm Ǿ | 2.22E+14 | TE | 不需要 |
DSS-IGA020A | 铟镓砷 (InGaAs) | 0.80 - 1.70 | 2 mm Ǿ | 3.54E+13 | RT | 不需要 |
DSS-IGA020T | 铟镓砷 (InGaAs) | 0.80 - 1.65 | 2 mm Ǿ | 1.18E+14 | TE | 不需要 |
DSS-IGA020L | 铟镓砷 (InGaAs) | 0.80 - 1.55 | 2 mm Ǿ | 1.77E+15 | LN2 | 不需要 |
DSS-IGA(1-9)010T | InGaAs 扩展 | 1.00 - 2.05 | 1 mm Ǿ | 8.86E+12 | TE | 推荐使用 |
DSS-IGA(1-9)010L | InGaAs 扩展 | 1.00 - 1.90 | 1 mm Ǿ | 4.43E+13 | LN2 | 推荐使用 |
DSS-IGA(2-2)010T | InGaAs 扩展 | 1.20 - 2.40 | 1 mm Ǿ | 1.77E+12 | TE | 推荐使用 |
DSS-IGA(2-2)010L | InGaAs 扩展 | 1.30 - 2.20 | 1 mm Ǿ | 8.86E+12 | LN2 | 推荐使用 |
DSS-G020A | 锗 (Ge) | 0.80 - 1.80 | 2 mm Ǿ | 3.94E+12 | RT | 不需要 |
DSS-G020T | 锗 (Ge) | 0.80 - 1.60 | 2 mm Ǿ | 3.54E+13 | TE | 不需要 |
DSS-G020L | 锗 (Ge) | 0.80 - 1.50 | 2 mm Ǿ | 7.09E+14 | LN2 | 不需要 |
DSS-PS020A | 硫化铅 (PbS) | 1.00 - 2.80 | 2 x 2 | 1.00E+12 | RT | 需要 |
DSS-PS020T | 硫化铅 (PbS) | 1.00 - 2.80 | 2 x 2 | 6.67E+12 | TE | 需要 |
DSS-PSE020A | 硒化铅 (PbSe) | 1.00 - 4.50 | 2 x 2 | 2.00E+10 | RT | 需要 |
DSS-PSE020T | 硒化铅 (PbSe) | 1.00 - 4.50 | 2 x 2 | 1.00E+11 | TE | 需要 |
MCT(5)020T | 碲镉汞 (HgCdTe) | 1.00 - 5.00 | 2 x 2 | 1.00E+11 | TE | 需要 |
DSS-IS020L | 锑化铟 (InSb) | 1.00 - 5.40 | 2 mm Ǿ | 1.20E+11 | LN2 | 推荐使用 |
DSS-MCT(14)-LN | 碲镉汞 (HgCdTe) | 2.00 - 14.00 | 2 x 2 | 4.00E+11 | LN2 | 需要 |
DSS-MCT(20)-LN | 碲镉汞(HgCdTe) | 2.00 - 20.0 | 2 x 2 | 6.67E+10 | LN2 | 需要 |
1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长
RT = 室温
TE = 热电致冷
LN2 = 液氮制冷
热释电探测器 | 探测器材料 | 波长范围 (μm) | 有效面积 (mm) | 灵敏度 (D*) | 制冷方式 | 斩波器、锁相放大器或调制信号源 |
---|---|---|---|---|---|---|
DSS-LT020A | 钽酸锂 (LiTaO3) | 2.00 to 16.00 | 2 mm Ǿ | 1.77E+09 | RT | 需要 |
1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长
RT = 室温
TE = 热电致冷
LN2 = 液氮制冷
固态双探测器1 | 探测器材料 | 波长范围 (μm) | 有效面积 (mm) | 灵敏度 (D*) 硅 / 红外材料 | 制冷方式 | 斩波器、锁相放大器或调制信号源 |
---|---|---|---|---|---|---|
DSS-SG020A | 硅 锗 | 0.20 - 1.80 | 2 mm Ǿ | 1.48E+14/2.36E+12 | RT | 推荐使用 |
DSS-SG020T | 硅 锗 | 0.20 - 1.60 | 2 mm Ǿ | 2.22E+14/2.13E+13 | TE | 推荐使用 |
DSS-SIGA020A | 硅 铟镓砷 | 0.20 - 1.70 | 2 mm Ǿ | 1.48E+14/2.13E+13 | RT | 推荐使用 |
DSS-SIGA020T | 硅 铟镓砷 | 0.20 - 1.65 | 2 mm Ǿ | 2.22E+14/7.09E+13 | TE | 推荐使用 |
DSS-SIA020A | 硅 砷化铟 | 0.20 - 3.50 | 2 mm Ǿ | 1.48E+14/5.32E+9 | RT | 推荐使用 |
DSS-SIA020T | 硅 砷化铟 | 0.20 - 3.40 | 2 mm Ǿ | 2.22E+14/1.06E+11 | TE | 需要 |
DSS-SPS020A | 硅 硫化铅 | 0.20 - 2.80 | 2 mm Ǿ | 1.48E+14/6.00E+11 | RT | 需要 |
DSS-SPS020T | 硅 硫化铅 | 0.20 - 2.80 | 2 mm Ǿ | 2.22E+14/4.00E+12 | TE | 需要 |
DSS-SPSE020A | 硅 硒化铅 | 0.20 - 4.50 | 2 mm Ǿ | 1.48E+14/1.20E+10 | RT | 需要 |
DSS-SPSE020T | 硅 硒化铅 | 0.20 - 4.50 | 2 mm Ǿ | 2.22E+14/6.00E+10 | TE | 需要 |
1 双探测器由近红外探测器和顶部的硅探测器组成,硅探测器可以透过 1 μm 以上的波长
RT = 室温
TE = 热电致冷
LN2 = 液氮制冷
室温或制冷PMT外壳既可以独立使用也可以和HORIBA的光谱仪进行高效耦合。
外壳 | 使用 | 集成高压 | 制冷方式 |
---|---|---|---|
1424M(S) | 与光谱仪耦合 | 否 | 室温 |
DPM-HVH(G) | 与光谱仪耦合 | 是 | 室温 |
OB-3004 | 独立使用 | 是 | 室温 |
1912F(G)-H | 与光谱仪耦合 | 否 | TE 水冷 ΔT >40°C |
OB-3001 | 与光谱仪耦合 | 否 | TE 风冷 -20°C |
多种适配器可选,用于收集HORIBA光谱仪信号到DSS固态探测器,使用双探测器适配器最多可在一个光谱仪上耦合4个单通道探测器!
适配器 | 探测器兼容性 | 斩波器或滤光片转轮 |
---|---|---|
1427C(-AU) | 单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷) | N/A |
J23075610 | 单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷) | 斩波器 |
J23075620 | 单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷) | 滤光片转轮 |
J23075630 | 单个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷) | 斩波器 / 滤光片转轮 |
J23078370 | 两个 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷) | N/A |
J23079050 | PMT 或 DSS 探测器 (室温, TE制冷) 和 DSS 探测器 (室温, TE制冷, LN2制冷) | N/A |
如您有任何疑问,请在此留下详细需求信息,我们将竭诚为您服务。
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