SPCS-ONE

連続固体粒子数測定装置

SPCS-ONE シリーズは、エンジンから排出される固体状粒子のうち、SPN23（粒子径23nm 以上の固体粒子数）またはSPN10（粒子径10nm以上の固体粒子数）をリアルタイムに計測する装置です。各国のPN 最新規制の要求に適合し、認証・研究開発から性能評価まで、あらゆる試験のご要望にお応えします。

■ お客様の用途に応じたラインアップ

測定対象：SPN23のみ / SPN10のみ / SPN23・SPN10同時測定から選択^※1
ご要望の用途に応じたサンプリング方法を選択

※1：SPN23・SPN10 同時測定の場合、揮発性粒子除去部は蒸発管（ET）または加熱触媒管（HCS）かで選択、併用不可。詳細はお問い合わせください。
※2：各型式の略称は下記の通りです。
DL：Dilution、DR：Direct、MT：with　Micro Tunnel、MD：with Micro Tunnel and Direct

JASO対応の簡素化パッケージもあります。詳細はダウンロードタブ内の資料をご覧ください。

認証試験・開発用途に最適

SPN10・SPN23 に関連する規制に対応し、欧州・米国・中国・日本等、各国の最新規制や多様な試験に対応します。
適合法規の詳細はこちら

GPF 前後の複数点での同時PN 測定
Euro7・GB7 に向けた開発
ブレーキダスト計測
各種燃料開発（水素エンジン、代替燃料など）
オイル消費量削減に向けたピストンリングの研究開発

柔軟性・拡張性の高いプラットフォームを採用し、より効率的・多様な試験を実現

柔軟かつ拡張性の高いHORIBA独自の統合計測プラットフォーム“HORIBA ONE PLATFORM”を採用し、よりスマートな試験を実現しました。
HORIBA ONE PLATFORMの詳細はこちら
 SPCS-ONEの各種操作画面はこちら

複数のSPCS-ONEやONE シリーズの他製品をすべて1台のPC から操作可能
- 複数のSPCS-ONEを1台のPCで操作
- MEXA-ONE やMDLT-ONE といったONEシリーズの他製品と一緒に1台のPCから操作可能
各種測定データを一括で取り込み効率的にデータ処理

短いダウンタイムで確実な校正

ISO/IEC17025認定の校正を国内グループ会社の堀場テクノサービスが実施
メンテナンス・調整などのサービスと同時に認定校正が可能に

校正サービスに関する詳細はこちら

コンパクトな設計と豊富なラインアップ・オプション

ラボでの設置・移動が容易なコンパクト設計
試験室間の移動の際、本体のみ移動させての使用が可能（PCの移動が不要）

お客様の用途に応じたラインアップ

測定対象：SPN23のみ / SPN10のみ / SPN23・SPN10同時測定から選択^※2
ご要望の用途に応じたサンプリング方法を選択

※2：SPN23・SPN10 同時測定の場合、揮発性粒子除去部は蒸発管（ET）または加熱触媒管（HCS）かで選択、併用不可　詳細はお問い合わせください。
※3：各型式の略称は下記の通りです。
DL：Dilution、DR：Direct、MT：with　Micro Tunnel、MD：with Micro Tunnel and Direct

各種計測アプリケーションに応じたオプションユニット

※4：法規適合の上で必要な場合にご提案しています。
※5：寸法は顧客仕様により異なります。

SPN23仕様

型式^※1	SPCS-ONE-DL-23	SPCS-ONE-MT-23	SPCS-ONE-DR-23	SPCS-ONE-MD-23
測定原理	レーザ散乱式凝縮粒子カウンティング（CPC）
測定成分・レンジ	固体粒子状物質の粒子数　0-10000 個/cm³～ 0-50000 個/cm³（装置内希釈後）^※2
CPC計数効率	50±12% @ 23 nm, > 90% @ 41 nm^※2
サンプリング温度	52℃以下（希釈サンプリング）		最高350℃（ダイレクトサンプリング）^※3
希釈サンプル温度	1次希釈器 (PND1): 191 °C ± 10 °C 蒸発管: 350 °C ± 10 °C 2次希釈器 (PND2): 35 °C 未満（サンプル導入部での温度として）		サイクロン: 47 °C ± 5 °C 1次希釈器 (PND1): 191 °C ± 10 °C 蒸発管: 350 °C ± 10 °C 2次希釈器 (PND2): 35 °C 未満（サンプル導入部での温度として）
ダイリューションファクタ設定範囲	1次希釈器（PND1）：10～200^※2 2次希釈器（PND2）：15		DSU内希釈器：10 1次希釈器（PND1）：10～200^※2 2次希釈器（PND2）：15
リダクションファクタ	0.95 < fr（30 nm）/ fr（100 nm）< 1.3 0.95 < fr（50 nm）/ fr（100 nm）< 1.2
揮発性粒子除去部	Evaporation Tube（蒸発管）
揮発性粒子除去効率	> 99.0%（粒径30 nmかつ濃度10000 個/cm³以上のC₄₀粒子にて）
希釈精度	設定値の±10%^※4
設置環境	単体使用時（標準）　　：温度 5 ～30℃、相対湿度80%以下、高度海抜2000 m以下（標高シミュレータ接続の場合、海抜2500 m以下） CLU使用時（オプション）：温度5 ～45℃、相対湿度80%以下、高度海抜2000 m以下（標高シミュレータ接続の場合、海抜2500 m以下）
電源	AC 200/220/230/240 V（±10%、ただし250 V以下）、50/60 Hz（±1.0 Hz）、単相（注文時に指定のこと）
電源容量（トランスファ管含む）	本体：最大2.5 kVA 本体＋オプション：最大4.7 kVA	本体：最大2.6 kVA 本体＋オプション：最大4.5 kVA	本体：最大2.7 kVA 本体＋オプション：最大4.6 kVA	本体：最大2.8 kVA 本体＋オプション：最大4.7 kVA
外形寸法^※5/ 質量	434(W) × 731(D) × 637(H) mm 約123 kg	434(W) × 910(D) × 637(H) mm 約144 kg	434(W) × 845(D) × 637(H) mm 約128 kg	434(W) × 910(D) × 637(H) mm 約149 kg

SPN10仕様

型式^※1	SPCS-ONE-DL-10	SPCS-ONE-MT-10	SPCS-ONE-DR-10	SPCS-ONE-MD-10
測定原理	レーザ散乱式凝縮粒子カウンティング（CPC）
測定成分・レンジ	固体粒子状物質の粒子数　0-50000 個/cm³（装置内希釈後）^※2
CPC計数効率	65±15% @ 10 nm, > 90% @ 15 nm
サンプリング温度	52℃以下（希釈サンプリング）		最高350℃（ダイレクトサンプリング）^※3
希釈サンプル温度	1次希釈器 (PND1): 191 °C ± 10 °C 加熱触媒管: 350 °C ± 10 °C 2次希釈器 (PND2): 35 °C 未満（サンプル導入部での温度として）		サイクロン: 47 °C ± 5 °C 1次希釈器 (PND1): 191 °C ± 10 °C 加熱触媒管: 350 °C ± 10 °C 2次希釈器 (PND2): 35 °C 未満（サンプル導入部での温度として）
ダイリューションファクタ設定範囲	1次希釈器（PND1）：10～200^※2 2次希釈器（PND2）：15		DSU内希釈器：10 1次希釈器（PND1）：10～200^※2 2次希釈器（PND2）：15
リダクションファクタ	0.95 < fr（15 nm）/ fr（100 nm）< 2.0 0.95 < fr（30 nm）/ fr（100 nm）< 1.3 0.95 < fr（50 nm）/ fr（100 nm）< 1.2
揮発性粒子除去部	Hot Catalytic Stripper（加熱触媒管）
揮発性粒子除去効率	> 99.9%（メディアン径>50 nmかつ質量濃度>1 mg/m³のC₄₀粒子にて）
希釈精度	設定値の±10%^※4
設置環境	単体使用時（標準）　　　：温度 5 ～30℃、相対湿度80%以下、高度海抜2000 m以下（標高シミュレータ接続の場合、海抜2500 m以下） CLU使用時（オプション）：温度5 ～45℃、相対湿度80%以下、高度海抜2000 m以下（標高シミュレータ接続の場合、海抜2500 m以下）
電源	AC 200/220/230/240 V（±10%、ただし250 V以下）、50/60 Hz（±1.0 Hz）、単相（注文時に指定のこと）
電源容量（トランスファ管含む）	本体：最大2.5 kVA 本体＋オプション：最大4.7 kVA	本体：最大2.6 kVA 本体＋オプション：最大4.5 kVA	本体：最大2.7 kVA 本体＋オプション：最大4.6 kVA	本体：最大2.8 kVA 本体＋オプション：最大4.7 kVA
外形寸法^※5/ 質量	434(W) × 731(D) × 637(H) mm 約123 kg	434(W) × 910(D) × 637(H) mm 約144 kg	434(W) × 845(D) × 637(H) mm 約128 kg	434(W) × 910(D) × 637(H) mm 約149 kg

※1 各型式の略称は下記の通りです。DL：Dilution、MT：with　Micro Tunnel、DR：Direct、MD：with Micro Tunnel and Direct
※2 希釈後の粒子数濃度が測定レンジ内になるように希釈比を設定してください。
※3 本装置のサンプル温度条件は、「DSU本体が350℃以下となる範囲」です。詳細については、弊社までお問い合わせください。
※4 スパンガスを用いた希釈比チェックにおける希釈精度です。
※5 トランスファ管・制御部・オプションユニットは別です。

SPCS-ONE