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GaN中の低濃度酸素・窒素・水素の含有量分析
次世代半導体GaNの生産方法として期待されているNaフラックス法において、GaN結晶に含まれる極めて低濃度な酸素・窒素・水素の含有量を分析した事例を紹介します。
次世代半導体として注目を集めるGaNの製造法の一つとして、液相法であるNaフラックス法がありますが、他の手法と比べて低温低圧で高品質な大型結晶を成長できる手法として研究されています。ただ結晶成長の中で取り込まれる酸素濃度の制御は導電性を制御するために不可欠です。酸素・窒素・水素分析装置EMGAシリーズでは、固体中の酸素・窒素・水素をppmオーダーで分析することができ、その成長した結晶に含まれる極めて低濃度な酸素・窒素・水素の含有量を分析した事例を紹介します。
酸素・窒素・水素分析装置(ハイエンドモデル)
酸素・窒素・水素分析装置