| モデル | EV 2.0 STD API Fast | EV 2.0 HR API Fast |
|---|---|---|
| 測定波長範囲 | 200 - 1050 nm | 300 - 800 nm |
| 焦点距離 | 75 mm | 75 mm |
| 波長分解能 | 2.5 nm | 1 nm |
| 検出器 | 裏面入射型CCDイメージセンサ（素子数 : 2048 x 16） | |
| センサユニット寸法 | 105 x 135 x 135 mm | 105 x 135 x 135 mm |
| センサユニット質量 | 850 g | 850 g |
| センサユニット電源仕様 | DC 24V | DC 24V |
| データサンプリング周期 | 最小1.4msec | 最小1.4msec |
| 露光時間 | 最小0.1msec | 最小0.1msec |
| ソフトウェア | JYST（データ取得用） | |
EV 2.0 API Fast
高速サンプリングモデル
先端半導体プロセスの、例えば、原子層レベルでのエッチングや成膜プロセス（ALE／ALD）では、短い時間分解能での計測が求められています。また、プラズマ放電をパルスで行うプロセスにおいても、短時間での計測が有効です。
これらのニーズにお応えする、高速サンプリングモデルです。
- ALE : Atomic Layer Etching
- ALD : Atomic Layer Deposition
