分光器
焦点距離 | 1000 mm |
スキャンスピード | 300 nm/秒 |
波長精度 | ±0.03nm |
波長再現性 | ±0.015nm |
クライオスタット | 標準装備 |
照射径 | 100 μm (Min) |
検出器
感度波長範囲 | 800~1700 nm |
冷却方式 | 液体窒素 |
アレイ数 | 1024×1 |
画素サイズ | 25 μm |
シリコン中不純物定量分析用フォトルミネッセンス測定装置
Photoluminor-Dはシリコン中の微量不純物分析用途を目的として開発されました。シリコンは最もよく使用されている半導体です。フォトルミネッセンス法は品質管理に応用すぺく長年研究が行われてきました。1977年電子技術総合研究所の田島道夫博士はシリコン中の不純物定量分析をフォトルミネッセンス法で評価する方法を開発されました。この方法によりシリコン中のB, P, Al, As 不純物がpptオ一ダーで解析出来るようになりました。PL法によるシリコン中の不純物定量分析は、現在ではASTMとJISに登録されています。