微細化により薄膜化が進む中、Åオーダの薄膜評価や成膜プロセス中でのin situ評価など、高い成膜制御を実現するためのソリューションを提案します。

高い波数分解能・空間分解能を誇るラマン分光装置とカソードルミネッセンス（CL)による多角的応力評価ソリューションを提案します。

元素の組成比によって性能が大きく変わる化合物半導体薄膜中の深さ方向の元素分布を迅速かつ容易に見極める分析手法を紹介します。

欠陥の削減・不純物の精密な制御は、高速通信用半導体において重要性が増しており、その分析事例を紹介します。

CMPプロセスはデバイスの微細化に伴いさらなる精度と再現性が求められ、その実現のために重要なスラリー粒子の詳細分析事例を紹介します。

結晶性の高いSiCエピタキシャル膜の成膜は高性能化合物半導体には必須であり、成膜後の結晶性を非破壊かつ精密に分析する手法を紹介します。

ウェハ中の欠陥は異物によっても発生し、その原因特定のための微小部元素分析手法を紹介します。

研究開発から生産ラインにおけるプロセスの終点検知やコンディション管理、プラズマ診断など、幅広い計測ソリューションを提供します。