GD-Profiler 2™
GD-Profiler 2™ 可快速、同步分析所有感興趣的元素,包括氮氣、氧氣、氫氣和氯氣。它是薄膜和厚膜表徵和製程研究的理想工具。
GDOES 是一種分析技術,可提供層狀材料的超快速元素深度剖面分析,同時以奈米深度分辨率提供所有元素和厚度的定量測量。 HORIBA Scientific 的脈衝 RF GDOES 儀器具有差分乾涉分析 (DiP) 功能,是材料研究和製程闡述的理想配對表徵工具。
創新的脈衝射頻源可以以最佳性能對所有類型的固體樣品進行分析,從第一個奈米到超過 150μm。使用專利的超快濺鍍 (UFS) 可輕鬆濺鍍聚合物材料。此外,此來源還可用於準備掃描電子顯微鏡 (SEM) 的樣品表面。
所有元素都可以測量,包括氫、氘、鋰、碳、氮、氧等。
專利的差分乾涉分析 (DiP) 允許以奈米級精度直接測量隨時間變化的深度,這與 GD 分析同時進行。
所有HORIBA Scientific GD 儀器中使用的專利高動態範圍檢測器(HDD) 允許即時、自動優化靈敏度,分析一層中的痕量元素,並在第二層中作為主要元素,無需妥協或需要做出任何調整任何調整。
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