採用HORIBA的光譜技術的表面分析設備透過其精確的光譜分析實現了高精度的表面分析。

GD-OES（光放電發射光譜）是一種對經過電鍍、熱處理、氣相沉積和濺鍍等各種表面處理的樣品進行快速深度輪廓分析的分析方法。 這是評估化合物半導體多層膜的有效分析方法。

拉曼光譜用於評估半導體領域的結晶度和應力。 可以獲得高解析度的拉曼光譜，並且可以辨別細微的差異。